晶圆业务
图形片
Line&Space , Contact Hole
I-Line, KrF , ArF , ArF液浸
CMP TEST (Cu, W, STI, ILD etc.)-754 , 854 , 454Mask等、各種Novati Mask対応
Plasma Damage TEG
＊最小线宽可达 32 nm，可从掩膜生产开始对应。
＊详情请咨询。
Cu CMP 评价用晶圆
| 尺寸 | 300mm |
|---|---|
| 可对因各种等级 | Anneal/ Cu EP 7KA Fill / Cu seed 1K / TaN 250A / Etch 3K (100nm Trench) / TEOS 3K / Si |
W CMP 评价用晶圆
| 尺寸 | 300mm |
|---|---|
| 可对因各种等级 | W 3K 〜 8K Fill / Ti:150A / TiN:150A Etch 3K ～ 8K / (130nm Via)PE-TEOS 2K / Si |
STI CMP 评价用晶圆
| 尺寸 | 300mm |
|---|---|
| 可对因各种等级 | HDP 6K Fill / Si etch 3.5K (130nm Trench) SiN 2K / Pad Ox 100A / Si |
TSV(Through Silicon Via) 晶圆
| 尺寸 | 300mm |
|---|---|
| 可对因各种等级 | EP Cu 60um Fill / Cu seed 2um / TaN 600A / PE-TEOS 6K / Si Via etch 50um / Si |
Deep Si Etch(50um) via 晶圆
| 尺寸 | 300mm |
|---|---|
| 可对因各种等级 | Si Via etch 50um / Si |
Double Patterning 晶圆
| 尺寸 | 300mm |
|---|---|
| 可对因各种等级 | Etch(30nm Trench) 300A Poly Si +/- 5% 20A Sac Ox / S |
＊除上述规格外，我们还可提供其他规格。